【一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法】的权利说明书内容是......

　　【一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法】技术领域本发明涉及一种

　　低温烧结的高介电常数介质陶瓷及其制备方法，用于制造各种高频电容器器件。背

　　景技术近年来，随着电子信息产品日益小型化，微功耗化和安装高密度化，电子元

　　器件不断向着“薄，轻，短，小，低成本”方向发展，相应的，低成本化的高频高介

　　电常数陶瓷电容器需要得到大力发展。目前常用的高介电常数高频温度稳定型电介

　　质陶瓷主要有BaO-Ln发明内容本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种

　　不含稀土元素，具有高介电常数且比较小的介电常数温度系数电介质陶瓷。本发明

　　另一目的在于提供上述电介质陶瓷的制备方法。本发明的目的通过如下技术方案实

　　现：一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷，其配方组分为CaTiSiO该陶瓷的介

　　电常数为53-98，1MHz下介电损耗小于4×10低温烧结的高介电常数电介质陶瓷的

　　制备方法：将CaTiSiO所述行星球磨是在球磨罐中球磨，其中球磨罐为聚四氟乙

　　1∶1∶1-4。所述的CaTiSiO所述玻璃组分为包括氧化物ZnO，B所述粘结剂优选

　　为石蜡。相对于现有技术本发明具有如下优点和有益效果：(1)传统的介电材料，

　　如TiO(2)本发明将CaTiSiO(3)本发明提供的低温烧结高介电陶瓷，不含昂贵的稀土

　　元属，甚至只包含微量的Bi具体实施方式下面结合附图和实施例对本发明做进一

　　步的说明，但本发明的保护范围并不局限于实施例表示的范围。实施例1～8将纯

　　度为99％以上的CaCO将纯度为99％以上的SrCO将纯度为99％以上的CaCO按

　　表1所列重量比，制备主要成分表达式为mCaTiSiO样品电极为纯银，采用印刷工

　　艺，在650℃加热15分钟。烧结陶瓷介电性能测试采用Agilent4288A，频率1MHz，

　　-55℃～+125℃温度范围由GZ-ESPEC710P型环境试验箱获得。本发明的陶瓷体系

　　实施例9～12将纯度为99％以上的CaCO将纯度为99％以上的SrCO将纯度

　　为99％以上的Bi按表2所列重量比，制备主要成分表达式为mCaTiSiO样品电极