- 1 -d pecvd 法低温沉积多晶硅薄膜的研究多晶硅(PolycrystallineSilicon，简称多晶 Si)是由多个晶格交错排列而成的硅材料，具有高电导率、热导率、弹性模量和抗冲击强度的特点，在电子元器件中具有广泛的应用前景。传统的多晶 Si薄膜沉积过程是在温度高于 1000℃的环境中，由 DC/RF 源进行等离子体化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)而产生。沉积温度较高，会引起材料表面的组分失衡，以及因温度过高导致发生拉伸应力等等，这些因素会严重影响薄膜的性能，降低工作效率。因此，低温沉积多晶硅薄膜成为当前研究的热点话题，PECVD 法低温沉积...

　　- 1 -d pecvd 法低温沉积多晶硅薄膜的研究多晶硅(PolycrystallineSilicon，简称多晶 Si)是由多个晶格交错排列而成的硅材料，具有高电导率、热导率、弹性模量和抗冲击强度的特点，在电子元器件中具有广泛的应用前景。传统的多晶 Si薄膜沉积过程是在温度高于 1000℃的环境中，由 DC/RF 源进行等离子体化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)而产生。沉积温度较高，会引起材料表面的组分失衡，以及因温度过高导致发生拉伸应力等等，这些因素会严重影响薄膜的性能，降低工作效率。因此，低温沉积多晶硅薄膜成为当前研究的热点话题，PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜的研究也引起了研究者的广泛关注。关于 PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜的研究的核心点在于在低温下（较常规高温沉积温度低几百度）成功沉积出低拉伸应力、组分均衡、较高饱和电导率以及较好的传输特性的多晶硅薄膜。研究者们采用半导体工艺（如 PECVD、CVD 和 DLCVD）、化学法（如 LPCVD）以及外来离子辅助沉积（ILCVD）等多种方法对低温多晶硅薄膜进行沉积，并研究其相关的性能，取得了积极的成果。关于 PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜的研究进展由于低温沉积多晶硅薄膜有较高的抗压强度和热稳定性，因此越来越多的应用被发现，如 MEMS(微机电系统)、电晶体管和半导体光刻机等。根据研究人员的不断发展，PECVD 法低温沉积多晶硅薄膜也取得了较好的进展，如实现了低温多晶硅薄膜的气体态沉积；发展出